关键参数：
| 生长速度： | 0.1~3.0 mm/hr |
| 生长温度： | 1850~2350 ℃ |
| 原料温度： | 2200~2800℃ |
| 降温速度： | 非匀速降温 |
| 炉内压力： | 随工艺阶段变化 |
| 碳化硅尺寸： |
4寸、6寸，（可以接受更大尺寸的研发委托） |
| 功率： | 定制 |
高纯半绝缘碳化硅生长
岚鲸光电目前已经掌握高纯半绝缘碳化硅生长工艺和原材料生产技术，并具备了高纯半绝缘碳化硅生长炉的批量生产能力。 我公司高纯半绝缘碳化硅生长炉，采用物理气相传输法精准控制原料温度和生长区温度，并结合控制真空度、控制杂质的升华温度和升华时间，提前去除N、B等杂质，从而实现对晶品质的提高。
通过顶部生长区及底部原料区的温度测量技术及温度控制技术，结合试验工厂的数据库分析，可以通过控制温度，实现晶体生长速度和晶体品质的精准控制，大大减少了晶体缺陷，我公司试验工厂生产的高纯半绝缘碳化硅单晶，已经达到商用等级的品质。 我公司可以单独提供高纯半绝缘碳化硅生长工艺技术或高纯半绝缘碳化硅单晶生长炉，并接受特殊定制。
导电型碳化硅生长
岚鲸光电目前已经掌握导电型碳化硅生长工艺及生长设备。 我公司导电型碳化硅生长炉，采用物理气相传输法精准控制原料温度和生长温度，并结合控制氮气分压，从而实现对晶体生长速度的精准控制。
通过顶部生长区及底部原料区的温度测量技术及温度控制技术，结合试验工厂的数据库分析，可以通过控制温度，实现晶体生长速度和晶体品质的精准控制，大大减少了晶体缺陷，我公司试验工厂生产的导电型碳化硅单晶，已经达到商用等级的品质。 我公司可以单独提供导电型碳化硅生长工艺技术或碳化硅单晶生长炉，并接受特殊定制。
关键参数：
| 生长速度： | 0.1~3.0 mm/hr |
| 生长温度： | 1850~2350 ℃ |
| 原料温度： | 2200~2800℃ |
|
碳化硅电阻率： |
|
| 降温速度： | 非匀速降温 |
| 炉内压力： | 随工艺阶段变化 |
| 碳化硅尺寸： |
4寸、6寸，（可以接受更大尺寸的研发委托） |
| 功率： | 定制 |
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